| 长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件高温工作性能 |
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| 引用本文： | 熊伯俊,邹雷,杨超伟,秦强,孔金丞,李立华.长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件高温工作性能[J].红外与毫米波学报,2022,41(4):672-677. |
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| 作者姓名： | 熊伯俊 邹雷 杨超伟 秦强 孔金丞 李立华 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所，云南 昆明 650223,中国人民解放军63963部队，北京 100071,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223,昆明物理研究所，云南 昆明 650223 |
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| 基金项目： | 红外专项（LZX20190302） |
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| 摘 要： | 碲镉汞材料为窄禁带半导体，随着工作温度的升高，材料本征载流子浓度会增加，探测器截止波长会变短，暗电流增加等，会导致器件性能降低。碲镉汞红外探测器通常在77 K温度附近工作并获得很好的探测性能，但低温工作会增加探测器的制备成本、功耗、体积和重量等。为了解决这些问题，在保证探测器正常工作性能的前提下，提升探测器的工作温度是碲镉汞红外探测器的重要研究方向。p-on-n结构的碲镉汞红外焦平面器件具有低暗电流、长少子寿命等特点，有利于在高工作温度条件下获得较好的器件性能。在不同工作温度下对p-on-n长波焦平面探测器的性能进行测试分析，在110 K时p-on-n长波碲镉汞红外焦平面探测器噪声等效温差（Noise Equivalent Temperature Difference ， NETD）为25.3 mK，有效像元率为99.48%，在高温条件下具备较优的工作性能。
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| 关 键 词： | 高温探测器 碲镉汞 p-on-n 暗电流 噪声等效温差（NETD） |
| 收稿时间： | 2021/11/3 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/8/12 0:00:00 |
High temperature performance of long-wave p-on-n HgCdTe infrared focal plane detector |
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| XIONG Bo-Jun,ZOU Lei,YANG Chao-Wei,QIN Qiang,KONG Jin-Cheng and LI Li-Hua.High temperature performance of long-wave p-on-n HgCdTe infrared focal plane detector[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2022,41(4):672-677. |
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| Authors: | XIONG Bo-Jun ZOU Lei YANG Chao-Wei QIN Qiang KONG Jin-Cheng and LI Li-Hua |
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