| 溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究 |
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| 引用本文： | 曹萌,虞斌,张翔,许成刚,张珊,孙丽颖,谭小宏,姜昱丞,豆家伟,王林军. 溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(4): 659-667 |
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| 作者姓名： | 曹萌 虞斌 张翔 许成刚 张珊 孙丽颖 谭小宏 姜昱丞 豆家伟 王林军 |
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| 作者单位： | 中广核工程有限公司核电安全监控技术与装备国家重点实验室，广东 深圳，518172;上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072,中广核工程有限公司核电安全监控技术与装备国家重点实验室，广东 深圳，518172,上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072,上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料和探测器实验室，上海 200083,杨浦区市东医院 重症监护科室， 上海 200438,上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072,苏州科技大学 物理科学与技术学院，江苏 苏州 215009,上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072,上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072;上海大学（浙江）高端装备基础件材料研究院，浙江 嘉善314113 |
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| 基金项目： | Supported by Open Topic of the State Key Laboratory of Nuclear Power Safety Monitoring Technology and Equipment （K-A 2019.418）， and Open Topic of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices （IIMDKFJJ-20-01） |
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| 摘 要： | 采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质，以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明，溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400 ℃退火时，n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳，光电流达到301 μA/cm2。
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| 关 键 词： | 碲化镉 溅射 光电化学 退火 |
| 收稿时间： | 2021-10-08 |
| 修稿时间： | 2022-08-14 |
Photoelectrochemical properties of sputtered n-type CdTe thin films |
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| CAO Meng,YU Bin,ZHANG Xiang,XU Cheng-Gang,ZHANG Shan,SUN Li-Ying,TAN Xiao-Hong,JIANG Yu-Cheng,DOU Jia-Wei and WANG Lin-Jun. Photoelectrochemical properties of sputtered n-type CdTe thin films[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(4): 659-667 |
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| Authors: | CAO Meng YU Bin ZHANG Xiang XU Cheng-Gang ZHANG Shan SUN Li-Ying TAN Xiao-Hong JIANG Yu-Cheng DOU Jia-Wei WANG Lin-Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdTe sputtering photoelectrochemical annealing |
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