| 基于0.35 μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管 |
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| 引用本文： | 鞠国豪,程正喜,陈永平.基于0.35 μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管[J].红外与毫米波学报,2022,41(4):668-671. |
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| 作者姓名： | 鞠国豪 程正喜 陈永平 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049;上海科技大学 信息科学与技术学院，上海 201210,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083;南通智能感知研究院，江苏 南通 226000 |
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| 基金项目： | Supported by the Shanghai Pujiang Program （18PJ1410700）， Key Laboratory of Defense Technology Funding of Chinese Academy of Sciences （CXJJ-20S004）， and Innovation Program of Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences （CX-268） |
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| 摘 要： | 提出了一种基于0.35 μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode， APD）。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离（Separate Absorption， Charge and Multiplication， SACM）的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层，并不需要任何工艺修改，这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明，横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M = 10和M = 50时，暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450 ~ 1050 nm。当反向偏置电压为20 V，即M = 1时，峰值响应波长约为775 nm。当单位增益 （M = 1） 时，在532 nm处的响应度约为最大值的一半。
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| 关 键 词： | 雪崩光电二极管 横向SACM 高压CMOS工艺 击穿电压 |
| 收稿时间： | 2021/10/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/8/15 0:00:00 |
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