| 3- 中红外偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器 |
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| 引用本文： | 陆荣国,林瑞,沈黎明,蔡松炜,王玉姣,陈进湛,杨忠华,吕江泊,周勇,王小菊,刘永.3- 中红外偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器[J].红外与毫米波学报,2021,40(3):297-301. |
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| 作者姓名： | 陆荣国 林瑞 沈黎明 蔡松炜 王玉姣 陈进湛 杨忠华 吕江泊 周勇 王小菊 刘永 |
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| 作者单位： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,重庆微电子中心，重庆 401332,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054,电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，电子科技大学，四川 成都 610054 |
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| 摘 要： | 文章提出了一种3 中红外波段偏振无关且CMOS兼容的石墨烯调制器，器件主要包括两部分：模式转换结构及石墨烯调制器。该调制器不仅满足于CMOS兼容的要求，而且能够实现基膜的偏振无关调制。仿真结果表明该调制器在2.95 到3.05 的中红外波段能够实现高于20 dB的消光比，TE和TM模式的插入损耗都低于1.3 dB，其偏振相关损耗低于1.09 dB。通过计算，当器件长度为420 ，能够获得高达9.47 GHz的3 dB带宽。
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| 关 键 词： | 石墨烯调制器 偏振无关 模式转换 中红外 |
| 收稿时间： | 2020/7/28 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/4/29 0:00:00 |
3- mid-infrared polarization-independent and CMOS-compatible graphene modulator |
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| LU Rong-Guo,LIN Rui,SHEN Li-Ming,CAI Song-Wei,WANG Yu-Jiao,CHEN Jin-Zhan,YANG Zhong-Hu,LYU Jiang-Bo,ZHOU Yong,WANG Xiao-Ju and LIU Yong.3- mid-infrared polarization-independent and CMOS-compatible graphene modulator[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2021,40(3):297-301. |
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| Authors: | LU Rong-Guo LIN Rui SHEN Li-Ming CAI Song-Wei WANG Yu-Jiao CHEN Jin-Zhan YANG Zhong-Hu LYU Jiang-Bo ZHOU Yong WANG Xiao-Ju and LIU Yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene modulator polarization-independent mode conversion mid-infrared |
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