| 基于片上肖特基二极管的高功率三倍频器设计 |
| |
| 引用本文： | 毋自贤,郭诚,温潇竹,宋旭波,梁士雄,顾国栋,张立森,吕元杰,张安学,冯志红.基于片上肖特基二极管的高功率三倍频器设计[J].红外与毫米波学报,2021,40(5):647-654. |
| |
| 作者姓名： | 毋自贤 郭诚 温潇竹 宋旭波 梁士雄 顾国栋 张立森 吕元杰 张安学 冯志红 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学信息与通信工程学院,陕西西安710049;中国电子科技集团第十三研究所,河北石家庄050051 |
| |
| 基金项目： | 陕西省自然科学基础研究计划（2020JQ-076）；中国博士后科学基金（2019M663715） |
| |
| 摘 要： | 提出了一种基于片上集成电容工艺和带阻滤波结构的高功率三倍频器设计方法。在倍频器输入端，首先对倍频器二极管的直流偏置馈电部分进行改进，在梁式引线结构基础上结合二氧化硅（SiO2）工艺实现了片上集成电容，同时解决了三倍频器的直流馈电和射频接地问题，实现电路功能集成的同时也提高了模型仿真精度。此外，在二极管的输入端采用带阻滤波器结构替代传统的低通滤波结构，在保证倍频器性能的同时进一步简化倍频器结构复杂度和尺寸。为进行验证，设计并加工测试了两款中心频率分别为110 GHz和220 GHz的双路功率合成三倍频器。实际测试结果表明，在输入功率500 mW条件下，110 GHz三倍频器的输出峰值功率达到了140 mW，峰值效率接近30%，带宽超过15 GHz；在输入功率300 mW条件下，220 GHz三倍频器的输出峰值功率达到了45 mW，峰值效率达到15%，带宽为15 GHz。两款倍频的测试结果均有优秀表现，验证了设计方法的有效性。
|
| 关 键 词： | 倍频器 片上集成电容 带阻滤波器 波导匹配网络 |
| 收稿时间： | 2021/1/12 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/9/4 0:00:00 |
Design of high power tripler based on on-chip schottky diodes |
| |
| WU Zi-Xian,GUO Cheng,WEN Xiao-Zhu,SONG Xu-Bo,LIANG Shi-Xiong,GU Guo-Dong,ZHANG Li-Sen,LYU Yuan-Jie,ZHANG An-Xue and FENG Zhi-Hong.Design of high power tripler based on on-chip schottky diodes[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2021,40(5):647-654. |
| |
| Authors: | WU Zi-Xian GUO Cheng WEN Xiao-Zhu SONG Xu-Bo LIANG Shi-Xiong GU Guo-Dong ZHANG Li-Sen LYU Yuan-Jie ZHANG An-Xue and FENG Zhi-Hong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | tripler on-chip integrated capacitors bandstop filter waveguide matching network |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
