| 退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 张飞,欧阳程,周炜,吴敬,高艳卿,黄志明.退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响[J].红外与毫米波学报,2016,35(3):287-293. |
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| 作者姓名： | 张飞 欧阳程 周炜 吴敬 高艳卿 黄志明 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法制备了厚度为6.5μm的Mn_(1.95)Co_(0.77)Ni_(0.28)O_4组分的薄膜材料,把材料分别在400℃,500℃,600℃,700℃,800℃下进行后退火处理.结果表明,室温下的负电阻温度系数α295值随退火温度增加先增大后减小,而电阻率ρ_(295)则是随退火温度增加逐渐减小的;在相同频率下,500℃退火样品的归一化噪声谱密度(S_V·V_R/V~2)最小,700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大.退火温度越高会造成越多的晶体缺陷,从而降低有效导热系数、增大时间常数τ和器件噪声.
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| 关 键 词： | 退火温度 Mn1.95Co0.77Ni0.28O4薄膜 器件性能 探测率 响应率 |
| 收稿时间： | 2015/8/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 9/6/2015 12:00:00 AM |
Annealing effect on the properties of Mn-Co-Ni-O film detector |
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| ZHANG Fei,OUYANG Cheng,ZHOU Wei,WU Jing,GAO Yan-Qing and HUANG Zhi-Ming.Annealing effect on the properties of Mn-Co-Ni-O film detector[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35(3):287-293. |
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| Authors: | ZHANG Fei OUYANG Cheng ZHOU Wei WU Jing GAO Yan-Qing and HUANG Zhi-Ming |
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| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Annealing temperature Mn1 95Co0 77Ni0 28O4 thin films detector properties detectivty responsivity |
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