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基于DOE策略的多层薄膜残余应力对太赫兹微桥形变的影响
引用本文:郑兴,刘子骥,顾德恩,苟君,马家锋,黎威志,吴志明.基于DOE策略的多层薄膜残余应力对太赫兹微桥形变的影响[J].红外与毫米波学报,2016,35(3):326-331.
作者姓名:郑兴  刘子骥  顾德恩  苟君  马家锋  黎威志  吴志明
作者单位:电子科技大学,电子科技大学
基金项目:国家自然科学基金项目(重点项目61235006),国家自然科学基金创新群体(61421002),中央高校基本科研业务费(ZYGX2015KYQD016)
摘    要:桥面多层膜系残余应力匹配是消除太赫兹微测辐射热计微桥结构形变的重要手段.仿真建立了像元尺寸为35μm×35μm微桥单元有限元模型.基于实验设计(DOE)正交法,采用IntelliSuite软件进行应力仿真,获得支撑层、钝化层、电极层、热敏层、吸收层应力分别为+200 Mpa、+200 Mpa、+200 Mpa、0 Mpa、-400 Mpa的最佳应力组合,最小微桥单元形变(0.0385μm).通过各膜层残余应力控制,制备出基于该优化微桥单元结构的320×240太赫兹焦平面阵列,获得与仿真结果相符的极小形变微桥.

关 键 词:太赫兹微测热辐射计  力学仿真  残余应力  正交实验设计
收稿时间:2015/8/14 0:00:00
修稿时间:2015/9/24 0:00:00

Orthogonal design of multilayer thin film residual stress impact on the THz micro bridge deformation
ZHENG Xing,LIU Zi-Ji,GU De-En,GOU Jun,MA Jia-Feng,LI Wei-Zhi and WU Zhi-Ming.Orthogonal design of multilayer thin film residual stress impact on the THz micro bridge deformation[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35(3):326-331.
Authors:ZHENG Xing  LIU Zi-Ji  GU De-En  GOU Jun  MA Jia-Feng  LI Wei-Zhi and WU Zhi-Ming
Affiliation:University of Electronic Science and Technology of China and University of Electronic Science and Technology of China
Abstract:
Keywords:THz microbolometer  mechanical simulation  residual stress  orthogonal design of experiment
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