| 低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 |
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| 引用本文： | 王晓东,汪辉.低落曙GaAs外延层上生长InAs量子点的研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(3):177-180. |
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| 作者姓名： | 王晓东 汪辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，科技部攀登计划，19823001，，， |
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| 摘 要： | 利用退火技术，实现了在低温ＧａＡｓ外延层上ＩｎＡｓ量子点的生长。透射电镜（ＴＥＭ）研究表明，低温ＧａＡｓ外延层上生长的ＩｎＡｓ量子点比通常生长的ＩｎＡｓ量子眯明显变小，且密度变大，认为是由于低温ＧａＡｓ中的点缺陷以及Ａｓ沉淀引起的：点缺陷释放了部分弹性能，使得量子点变小，而Ａｓ沉淀可能是量子点密度变大的原因。在光致发光谱（ＰＬ）上，退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高，且半高宽变窄。
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| 关 键 词： | 外延生长 砷化镓 砷化锢 砷沉淀 低温 量子点 |
STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON LOW TEMPERATURE GaAs EPI-LAYER |
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| WANG Xiao-Dong,WANG Hui,WANG Hai-Long,NIU Zhi-Chuan,FENG Song-Lin.STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON LOW TEMPERATURE GaAs EPI-LAYER[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2000,19(3):177-180. |
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| Authors: | WANG Xiao-Dong WANG Hui WANG Hai-Long NIU Zhi-Chuan FENG Song-Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAs quantum dots low temperature GaAs As precipitates |
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