| 室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析 |
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| 引用本文： | 王仍,焦翠灵,陆液,霍勤,乔辉,李向阳.室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析[J].红外与毫米波学报,2020,39(5):603-606. |
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| 作者姓名： | 王仍 焦翠灵 陆液 霍勤 乔辉 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目（2016YFB0500600） |
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| 摘 要： | 室温下利用阴极荧光光谱技术对ZnSe晶体进行了350~850 nm的无损全光阴极荧光图谱检测，分析了晶体内部缺陷及夹杂情况，室温下测得ZnSe晶体在400~550 nm的阴极荧光光谱，阴极荧光光谱测得462 nm处的ZnSe本征发光峰。缺陷处测得462 nm的本征发光峰和453 nm的缺陷发光峰，结合能谱分析，ZnSe晶体表面缺陷处的Zn：Se比约为6：4。阴极荧光图谱中缺陷处发光峰主要来自Zn夹杂缺陷发光。
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| 关 键 词： | ZnSe晶体 阴极荧光光谱(CL) Zn夹杂 |
| 收稿时间： | 2019/11/1 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/8/20 0:00:00 |
Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature |
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| WANG Reng,JIAO Cui-Ling,LU Ye,HUO Qin,QIAO Hui and LI Xiang-Yang.Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2020,39(5):603-606. |
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| Authors: | WANG Reng JIAO Cui-Ling LU Ye HUO Qin QIAO Hui and LI Xiang-Yang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnSe crystal Cathodoluminescence (CL) Zn inclusion |
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