| γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙京华,王文娟,诸毅诚,郭子路,祁雨菲,徐卫明.γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):44-51. |
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| 作者姓名： | 孙京华 王文娟 诸毅诚 郭子路 祁雨菲 徐卫明 |
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| 作者单位： | 上海理工大学 材料与化学学院，上海 200093,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京100049;中国科学院大学杭州高等研究院，浙江 杭州 310024,中国科学院上海技术物理研究所 空间主动光电技术重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （NSFC） （62174166， 11991063， U2241219）， Shanghai Municipal Science and Technology Major Project （2019SHZDZX01， 22JC1402902）， and the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences（ XDB43010200）. |
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| 摘 要： | 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器（SPADs）进行了总剂量为10 krad（Si）和20 krad（Si）的γ辐照，并进行了原位和移位测试。辐照后，暗电流和暗计数率有轻微的下降，而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后，这些退化基本恢复，这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。
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| 关 键 词： | γ辐照 InGaAsP/InP 单光子雪崩探测器 单光子性能 |
| 收稿时间： | 2023/3/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/11/29 0:00:00 |
Effects of Gamma irradiation on performance of InGaAsP/InP single-photon avalanche diodes |
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| SUN Jing-Hu,WANG Wen-Juan,ZHU Yi-Cheng,GUO Zi-Lu,QI Yu-Fei and XU Wei-Ming.Effects of Gamma irradiation on performance of InGaAsP/InP single-photon avalanche diodes[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2024,43(1):44-51. |
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| Authors: | SUN Jing-Hu WANG Wen-Juan ZHU Yi-Cheng GUO Zi-Lu QI Yu-Fei and XU Wei-Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gamma irradiation InGaAsP/InP single-photon avalanche diode single-photon performance |
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