| 有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs |
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| 引用本文： | 钟英辉,王显泰,苏永波,曹玉雄,张玉明,刘新宇,金智.有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs[J].红外与毫米波学报,2013,32(3):193-198. |
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| 作者姓名： | 钟英辉 王显泰 苏永波 曹玉雄 张玉明 刘新宇 金智 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,西安电子科技大学微电子学院,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 |
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| 摘 要： | 我们成功研制了栅长为0.15 μm、栅宽为2?50 μm、源漏间距为2 μm 的InP 基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件。室温下,当器件VDS为1.7 V,VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1052 mS/mm。传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032 Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03?10-7Ω.cm-2. 正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大。器件还有比较好的射频特性：当VDS＝1.5 V, VGS ＝0.1 V 时,fT和fmax分别为151 GHz,303 GHz。文章报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制。
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| 关 键 词： | 高电子迁移率器件 栅长 栅槽 InP InAlAs/InGaAs |
| 收稿时间： | 3/1/2012 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2012/4/26 0:00:00 |
High performance InP-based In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs with extrinsic transconductance of 1052 mS/mm |
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| ZHONG Ying- Hui,WANG Xian-Tai,SU Yong-Bo,CAO Yu-Xiong,ZHANG Yu-Ming,LIU Xin-Yu and JIN Zhi.High performance InP-based In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs with extrinsic transconductance of 1052 mS/mm[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2013,32(3):193-198. |
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| Authors: | ZHONG Ying- Hui WANG Xian-Tai SU Yong-Bo CAO Yu-Xiong ZHANG Yu-Ming LIU Xin-Yu and JIN Zhi |
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| Affiliation: | Microelectronics Institute, Xidian University,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Microelectronics Institute, Xidian University,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HEMT gate-length gate recess InP InAlAs/InGaAs |
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