HgCdTe光电二极管量子效率分布函数的研究 |
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引用本文: | 乔立杰,皮名嘉,戴永江.HgCdTe光电二极管量子效率分布函数的研究[J].红外与毫米波学报,1987,6(3). |
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作者姓名: | 乔立杰 皮名嘉 戴永江 |
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作者单位: | 哈尔滨工业大学应用物理系
(乔立杰,皮名嘉),哈尔滨工业大学应用物理系(戴永江) |
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摘 要: | 研究了一种新的解卷积方程的方法,在光点扫描测量中,若光点面积与被测器件的光敏面面积相差不多,则器件输出函数为V(x)=G(x)*η(x),G(x)是光点的分布函数,为高斯函数,η(x)是量子效率分布函数。由于V(x)不是一个解析函数,上述卷积方程只能进行数值求解。理论分析和实际计算证明,利用计算机离散傅里叶变换法解此方程,误差大得不能接受。我们采用幂级数展开的方法计算了上述方程,得出了量子效率分布函数,用此方法对两只HgCdTe光电二极管进行了测量,实测结果表明:量子效率分布呈中间大边缘小的近高斯形分布,并且光敏面面积明显小于标称面积。
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