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| 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究 | |
| 引用本文： | 吕衍秋,徐运华,韩冰,孔令才,亢勇,庄春泉,吴小利,张永刚,龚海梅.128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究[J].红外与毫米波学报,2006,25(5):333-337. |
| 作者姓名： | 吕衍秋 徐运华 韩冰 孔令才 亢勇 庄春泉 吴小利 张永刚 龚海梅 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 2. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国防科技预研项目 |
| 摘 要： | 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析. |
| 关 键 词： | 探测器 焦平面 InGaAs 钝化 |
| 文章编号： | 1001-9014（2006）05-0333-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-12 |
| 修稿时间： | 2006-06-22 |
STUDY ON 128×1 ELEMENT LINEAR InGaAs SHORT WAVELENTH INFRARED FOCAL PLANE ARRAY |
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| LV Yan-Qiu.STUDY ON 128×1 ELEMENT LINEAR InGaAs SHORT WAVELENTH INFRARED FOCAL PLANE ARRAY[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2006,25(5):333-337. | |
| Authors: | LV Yan-Qiu~ |
| Affiliation: | LV Yan-Qiu~ |
| Abstract: | |
| Keywords: | detector focal plane array InGaAs passivation |
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