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| N-Hg_(1-x)Cd_xTe的电子有效质量 | |
| 引用本文： | 郑国珍,郭少令,梁勇.N-Hg_(1-x)Cd_xTe的电子有效质量[J].红外与毫米波学报,1986,5(5). |
| 作者姓名： | 郑国珍 郭少令 梁勇 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室 (郑国珍，郭少令)，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室(梁勇) |
| 摘 要： | 本文用输运测量方法,获得了不同电子浓度、不同组分(x=0.16～0.31)的样品的电子有效质量。对浓度较高的样品,亦即简并较强的样品,可以用Shubnikov-de Haas效应求出费密面所在的电子有效质量m~*(E_F/m_o。对于各向同性的非抛物型能带,简并化电子弹性散射和有碰撞加宽的情况,纵向和横向磁阻的振荡部分分别表示为 |
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