| 用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制 |
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| 引用本文： | 廖开升,李志锋,王超,李梁,周孝好,李宁,戴宁.用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制[J].红外与毫米波学报,2016,35(1):37-41. |
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| 作者姓名： | 廖开升 李志锋 王超 李梁 周孝好 李宁 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所,上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目）;中国科学院知识创新项目 |
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| 摘 要： | 提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si:P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了叠加在光电流响应谱上的尖锐杂质峰对应阻挡层中磷原子的杂质跃迁.研究了器件在低温下小偏压范围内的暗电流起源.通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应.器件工作温度5 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5~40μm,峰值波长28.8μm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率3.7×1013cm·Hz1/2/W(背景光子通量低于1013ph/cm2·s).
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| 关 键 词： | 阻挡杂质带，暗电流，远红外，太赫兹 |
| 收稿时间： | 2015/2/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 5/6/2015 12:00:00 AM |
Si:P blocked impurity band detectors for far infrared detection |
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| LIAO Kai-Sheng,LI Zhi-Feng,WANG Chao,LI Liang,ZHOU Xiao-Hao,LI Ning and DAI Ning.Si:P blocked impurity band detectors for far infrared detection[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35(1):37-41. |
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| Authors: | LIAO Kai-Sheng LI Zhi-Feng WANG Chao LI Liang ZHOU Xiao-Hao LI Ning and DAI Ning |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Shanghai Institute of Technical Physics and Shanghai Institute of Technical Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | blocked impurity band dark current far infrared terahertz |
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