| 高倍增低暗电流的AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管 |
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| 引用本文： | 郑大农,苏向斌,徐应强,牛智川. 高倍增低暗电流的AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40(2): 172-177 |
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| 作者姓名： | 郑大农 苏向斌 徐应强 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，北京 100083;中国科学院大学 材料学院与光电技术学院，北京101408,中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，北京 100083;中国科学院大学 材料学院与光电技术学院，北京101408,中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，北京 100083;中国科学院大学 材料学院与光电技术学院，北京101408,中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，北京 100083;中国科学院大学 材料学院与光电技术学院，北京101408 |
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| 基金项目： | 国家基础研究计划(2018YFA0209104)，国家自然科学基金(61790582) |
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| 摘 要： | 用分子束外延系统（MBE）生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管（APD）。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象，采用迁移增强的数字合金生长方式，其快门顺序为AlSb，AlAs，AlSb，Sb，In，InAs，In，Sb。其高分辨率X射线衍射（HRXRD）曲线显示出尖锐的卫星峰，并显示出几乎完美的晶格匹配，其原子力显微镜（AFM）图像上也可以观察到光滑的表面形貌。使用优化的数字合金生长方式，制备了分离吸收、渐变、电荷和倍增（SAGCM）型的AlInAsSb数字合金APD。在室温下，器件在95%击穿时，暗电流密度为0.95 mA/cm2，击穿前最大稳定增益高达~100，其器件的高性能显示出光电领域进一步发展的潜力。
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| 关 键 词： | 雪崩光电二级管 分子束外延 AlInAsSb 四元数字合金 |
| 收稿时间： | 2020-06-12 |
| 修稿时间： | 2021-04-06 |
High gain and low dark current AlInAsSb avalanche photodiodes grown by quaternary digital alloys |
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| ZHENG Da-Nong,SU Xiang-Bin,XU Ying-Qiang and NIU Zhi-Chuan. High gain and low dark current AlInAsSb avalanche photodiodes grown by quaternary digital alloys[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2021, 40(2): 172-177 |
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| Authors: | ZHENG Da-Nong SU Xiang-Bin XU Ying-Qiang NIU Zhi-Chuan |
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