| fT为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究 |
| |
| 引用本文： | 付兴昌,吕元杰,张力江,张彤,李献杰,宋旭波,张志荣,房玉龙,冯志红.fT为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究[J].红外与毫米波学报,2018,37(1):15-19. |
| |
| 作者姓名： | 付兴昌 吕元杰 张力江 张彤 李献杰 宋旭波 张志荣 房玉龙 冯志红 |
| |
| 作者单位： | 东南大学,专用集成电路国家级重点实验室,河北半导体研究所,东南大学,河北半导体研究所,河北半导体研究所,河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,专用集成电路国家级重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家重点研发计划“纳米科技”重点专项，国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
| |
| 摘 要： | 采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)，器件尺寸得到有效缩小，源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+ GaN外延工艺，欧姆接触总电阻值达到0.16 Ω·mm，该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善，器件电学特性，尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(Ron)仅为0.41 Ω·mm，栅压1 V下，漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外，器件的电流增益截止频率(fT)达到350 GHz，该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.
|
| 关 键 词： | InAlN/GaN 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅 |
| 收稿时间： | 2017/7/4 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/8/28 0:00:00 |
High-frequency InAlN/GaN HFET with an fT of 350 GHz |
| |
| FU Xing-Chang,LYU Yuan-Jie,ZHANG Li-Jiang,ZHANG Tong,LI Xian-Jie,SONG Xu-Bo,ZHANG Zhi-Rong,FANG Yu-Long and FENG Zhi-Hong.High-frequency InAlN/GaN HFET with an fT of 350 GHz[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2018,37(1):15-19. |
| |
| Authors: | FU Xing-Chang LYU Yuan-Jie ZHANG Li-Jiang ZHANG Tong LI Xian-Jie SONG Xu-Bo ZHANG Zhi-Rong FANG Yu-Long and FENG Zhi-Hong |
| |
| Affiliation: | Southeast University,National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC),Hebei Semiconductor Research Institute,Southeast University,Hebei Semiconductor Research Institute,Hebei Semiconductor Research Institute,Hebei Semiconductor Research Institute,National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC) and National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InAlN/GaN HFET current gain cut-off frequency nonalloyedOhmic contacts Nano-gate |
|
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
