| InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应 |
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| 引用本文： | 靳 川,许佳佳,黄爱波,徐志成,周易,白治中,王芳芳,陈建新,陈洪雷,丁瑞军,何力.InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应[J].红外与毫米波学报,2017,36(6):688-693. |
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| 作者姓名： | 靳 川 许佳佳 黄爱波 徐志成 周易 白治中 王芳芳 陈建新 陈洪雷 丁瑞军 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学(No. 61505237, 61176082, 61290302, 61534006); 国家重点研发计划项目(No. 2016YFB0402403)；上海市自然科学(No. 15ZR1445600,16ZR1447900) 资助。 |
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| 摘 要： | 研究了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波探测器的γ辐照效应.在~(60)Co源γ辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100 krad(Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能.结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析.发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复.而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤.
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| 关 键 词： | 长波红外探测器 InAs/GaSb II类超晶格 实时γ 辐照效应 |
| 收稿时间： | 2017/1/20 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/2/20 0:00:00 |
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