| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性 |
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| 引用本文： | 黄亮,李志锋,周易,陈建新,陆卫.InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性[J].红外与毫米波学报,2015,34(2):166-171. |
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| 作者姓名： | 黄亮 李志锋 周易 陈建新 陆卫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划，国家自然科学基金(61376053 |
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| 摘 要： | 报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合,获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析,发现少数载流子寿命随着台面面积的增大而增大,归结为由于侧壁表面效应带来的影响.所测器件的少数载流子为空穴,其表观寿命约为2~12 ns.
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| 关 键 词： | InAs/GaSb二类超晶格 瞬态特性 红外探测器 |
| 收稿时间： | 2014/1/19 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2/2/2015 12:00:00 AM |
Transient photovoltaic responses in InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice infrared photodetectors |
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| HUANG Liang,LI Zhi-Feng,ZHOU Yi,CHEN Jian-Xin and LU Wei.Transient photovoltaic responses in InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice infrared photodetectors[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2015,34(2):166-171. |
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| Authors: | HUANG Liang LI Zhi-Feng ZHOU Yi CHEN Jian-Xin and LU Wei |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAs/GaSb type-II superlattice transient response infrared detector |
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