| GaAs中Be受主的光热电离光谱研究 |
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| 引用本文： | 袁先漳,陆卫.GaAs中Be受主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5):385-388. |
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| 作者姓名： | 袁先漳 陆卫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，19674060， |
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| 摘 要： | 应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较，将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁，同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁，由实验结果算得Ｂｅ受主的电离能为２８．６ｍｅＶ。
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| 关 键 词： | 浅杂质 受主 光热电离光谱 砷化镓 半导体 铍 |
PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BE ACCEPTOR IN GaAs |
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| YUAN Xian-Zhang,LU Wei,SHI Guo-Liang,CHEN Yi-Dong,CHEN Zhang-Hai,LI Ning,SHEN Xue-Chu.PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY OF BE ACCEPTOR IN GaAs[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2000,19(5):385-388. |
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| Authors: | YUAN Xian-Zhang LU Wei SHI Guo-Liang CHEN Yi-Dong CHEN Zhang-Hai LI Ning SHEN Xue-Chu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | shallow impurity acceptor photothermal ionization spectroscopy |
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