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利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料
引用本文:张可锋,林铁,王妮丽,王仍,焦翠灵,林杏潮,张莉萍,李向阳. 利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料[J]. 红外与毫米波学报, 2011, 30(4): 301-304
作者姓名:张可锋  林铁  王妮丽  王仍  焦翠灵  林杏潮  张莉萍  李向阳
作者单位:1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
基金项目:国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
摘    要:窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合...

关 键 词:碲镉汞  磁输运  迁移率谱  自然氧化
收稿时间:2010-10-08
修稿时间:2011-04-13

Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis
ZHNAG Ke-Feng,LIN Tie,WANG Ni-Li,WANG Reng,JIAO Cui-Ling,LIN Xing-Chao,ZHANG Li-Ping and LI Xiang-Yang. Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2011, 30(4): 301-304
Authors:ZHNAG Ke-Feng  LIN Tie  WANG Ni-Li  WANG Reng  JIAO Cui-Ling  LIN Xing-Chao  ZHANG Li-Ping  LI Xiang-Yang
Affiliation:Shanghai Institue of Technical Physics Chinese Academy of Sciences
Abstract:
Keywords:HgCdTe   magneto-transport   mobility spectrum   autoxidation
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