| 利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料 |
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| 引用本文： | 张可锋,林铁,王妮丽,王仍,焦翠灵,林杏潮,张莉萍,李向阳. 利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料[J]. 红外与毫米波学报, 2011, 30(4): 301-304 |
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| 作者姓名： | 张可锋 林铁 王妮丽 王仍 焦翠灵 林杏潮 张莉萍 李向阳 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合...
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| 关 键 词： | 碲镉汞 磁输运 迁移率谱 自然氧化 |
| 收稿时间： | 2010-10-08 |
| 修稿时间： | 2011-04-13 |
Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis |
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| ZHNAG Ke-Feng,LIN Tie,WANG Ni-Li,WANG Reng,JIAO Cui-Ling,LIN Xing-Chao,ZHANG Li-Ping and LI Xiang-Yang. Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2011, 30(4): 301-304 |
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| Authors: | ZHNAG Ke-Feng LIN Tie WANG Ni-Li WANG Reng JIAO Cui-Ling LIN Xing-Chao ZHANG Li-Ping LI Xiang-Yang |
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| Affiliation: | Shanghai Institue of Technical Physics Chinese Academy of Sciences |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe magneto-transport mobility spectrum autoxidation |
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