| 离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究 |
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| 引用本文： | 王超,李宁,戴宁,石旺舟,胡古今.离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究[J].红外与毫米波学报,2020,39(3):290-294. |
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| 作者姓名： | 王超 李宁 戴宁 石旺舟 胡古今 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;上海师范大学数理学院物理系,上海 200234 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金和国家重点基础研究发展计划项目 11933006 61805060 61290304 10904158 10990103 2013CB632802 2011CB922004国家自然科学基金和国家重点基础研究发展计划项目（11933006, 61805060， 61290304，10904158， 10990103，2013CB632802，2011CB922004） |
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| 摘 要： | 研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10~(13) cm·Hz~(1/2)/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。
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| 关 键 词： | 阻挡杂质带 长波红外探测器 硅掺砷 离子注入工艺 |
| 收稿时间： | 2019/10/5 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/4/17 0:00:00 |
Ion-implanted Si:As blocked impurity band detectors for VLWIR detection |
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| WANG Chao,LI Ning,DAI Ning,SHI Wang-Zhou and HU Gu-Jin.Ion-implanted Si:As blocked impurity band detectors for VLWIR detection[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2020,39(3):290-294. |
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| Authors: | WANG Chao LI Ning DAI Ning SHI Wang-Zhou and HU Gu-Jin |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China,State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China,State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China,Department of Physics, College of Mathematics and Science, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China,Department of Physics, College of Mathematics and Science, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | blocked impurity band long-wavelength infrared detectors Si:As ion-implant process |
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