一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法 |
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作者姓名: | 戚军军 吕红亮 张玉明 张义门 张金灿 |
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作者单位: | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安 710071;河南科技大学电气工程学院,河南洛阳 471023 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61851405) |
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摘 要: | 提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰。除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似。该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似。在0.1 ~ 40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性。
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关 键 词: | 直接提取法 磷化铟异质结双极型晶体管 小信号模型 参数提取 |
收稿时间: | 2019-10-21 |
修稿时间: | 2020-04-16 |
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