| 基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 刘星,孟范忠,陈艳,张傲,高建军.基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计[J].红外与毫米波学报,2023,42(1):37-42. |
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| 作者姓名： | 刘星 孟范忠 陈艳 张傲 高建军 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第十三研究所，河北 石家庄 050051,中国电子科技集团公司 第十三研究所，河北 石家庄 050051,中国电子科技集团公司 第十三研究所，河北 石家庄 050051,南通大学 交通与土木工程学院，江苏 南通 226019,华东师范大学 物理与电子科学学院，上海 200241 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（62201293，62034003） |
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| 摘 要： | 基于70 nm InP HEMT工艺，设计了一款五级共源放大级联结构230～250 GHz低噪声太赫兹单片集成电路（TMIC）。该放大器采用扇形线和微带线构成栅极和源极直流偏置网络，用以隔离射频信号和直流偏置信号；基于噪声匹配技术设计了放大器的第一级和第二级，基于功率匹配技术设计了中间两级，最后一级重点完成输出匹配。在片测试结果表明，230～250 GHz频率范围内，低噪声放大器的小信号增益大于20 dB。采用Y因子法对封装后的低噪声放大器模块完成了噪声测试，频率为243～248 GHz时该MMIC放大器噪声系数优于7.5 dB，与HBT和CMOS工艺相比，基于HEMT工艺的低噪声放大器具有3 dB以上的噪声系数优势。
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| 关 键 词： | 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 低噪声放大器(LNA) 太赫兹集成电路(TMIC) |
| 收稿时间： | 2022/6/3 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/1/3 0:00:00 |
Design of 230~250 GHz low noise amplifier based on 70 nm InP HEMT process |
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| LIU Xing,MENG Fan-Zhong,CHEN Yan,ZHANG Ao and GAO Jian-Jun.Design of 230~250 GHz low noise amplifier based on 70 nm InP HEMT process[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2023,42(1):37-42. |
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| Authors: | LIU Xing MENG Fan-Zhong CHEN Yan ZHANG Ao and GAO Jian-Jun |
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