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嵌入式Flash读取加速技术研究
引用本文:杨祎巍,杜俊慧,黄开天,匡晓云,王轲.嵌入式Flash读取加速技术研究[J].微电子学与计算机,2022(8):107-118.
作者姓名:杨祎巍  杜俊慧  黄开天  匡晓云  王轲
作者单位:1. 南方电网科学研究院;3. 浙江大学信息与电子工程学院;4. 浙江大学电气工程学院
基金项目:国家重点研发计划资助项目(2018YFB0904900,2018YFB0904902);
摘    要:嵌入式Flash由于成本、存储密度等优势日益成为微控制器中重要的程序、数据存储器.然而嵌入式Flash相对较慢的读取速度,制约着微控制器的整体性能,因而提升Flash中指令和数据的读取性能十分重要.为了提升微控制器中嵌入式Flash的读取性能,提出了一种基于缓存和预取的Flash控制器,并对当前缓存和预取的不足进行优化.针对现有缓存适配性差的问题,提出缓存行长自适应技术进行优化.针对传统方式访问组相联缓存时缺失代价和功耗高的问题,提出路命中预测技术进行优化.针对现有预取技术准确性低的问题,提出跨步预取技术进行优化.最后,设计并实现了一款嵌入式Flash控制器,并集成到SoC系统中,搭建了验证平台进行功能仿真和FPGA验证.实验结果表明,采用缓存行长自适应技术后,处理器读取嵌入式Flash的性能得到明显提升(103%);采用路命中预测技术后,处理器读取嵌入式Flash的性能得到进一步提升(2%).采用跨步预取技术后,DMA读取嵌入式Flash的性能得到明显提升(50%).

关 键 词:嵌入式Flash  缓存  行长自适应  路命中预测  跨步预取
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