| 双多晶硅栅SOI MOS器件的研究 |
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| 引用本文： | 罗来华,刘文安,沈文正.双多晶硅栅SOI MOS器件的研究[J].微电子学与计算机,2000,17(3):40-44. |
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| 作者姓名： | 罗来华 刘文安 沈文正 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所，西安 710054 |
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| 摘 要： | 采用多晶硅栅全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ工艺成功研制出多晶硅栅器件，其中Ｎ＋栅ＮＭＯＳ管的阈值电压为０．４５Ｖ，Ｐ＋栅ＰＭＯＳ管的阈值电压为－０．２２Ｖ，在１Ｖ和５Ｖ电源电压下多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为１．７ｎｓ和３５０ｐｓ，双多晶硅栅ＳＯＩ技术将是低压集成电路的一种较好选择。
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| 关 键 词： | 双多晶硅栅 SOI MOS器件 |
| 修稿时间： | 1999年12月13 |
A Study of Double-Polysilicon-Gate SOIMOS Device |
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| LUO Lai hua,LIU Wen an,SHEN Wen zheng.A Study of Double-Polysilicon-Gate SOIMOS Device[J].Microelectronics & Computer,2000,17(3):40-44. |
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| Authors: | LUO Lai hua LIU Wen an SHEN Wen zheng |
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| Abstract: | The double-polysilicon-gate Full-depleted CMOS/SIMOX devices have been developed.The threshold voltage of N gate NMOSFET and P gate PMOSFET is 0.45v and -0.22v ,respectively.The propagation delay per stage of the double-polysilicon-gate ring oscillator is 1.7ns and 350ps with 1v and 5v supply voltage,respectively. The double-polysilicon-gate SOI technology is the better choice of low voltage circuit. |
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| Keywords: | Double-polysilicon-gate Full-depleted SOI |
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