| AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性 |
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| 引用本文： | 张小玲,谢雪松,吕长治,李岩,李鹏,冯士维,李志国.AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性[J].微电子学与计算机,2004,21(7):171-172. |
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| 作者姓名： | 张小玲 谢雪松 吕长治 李岩 李鹏 冯士维 李志国 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
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| 摘 要： | 研究了AlGaN/GaNHEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm。温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别下降到0.69A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%。
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率器件 高温性能 |
| 文章编号： | 1000-7180(2004)07-171-02 |
| 修稿时间： | 2003年12月15 |
The Temperature Characteristics of AlGaN/GaN HEMT |
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| ZHANG Xiao-ling,XIE Xue-song,LU Chang-zhi,LI-yan,LI-peng,FENG Shi-wei,LI Zhi-guo.The Temperature Characteristics of AlGaN/GaN HEMT[J].Microelectronics & Computer,2004,21(7):171-172. |
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| Authors: | ZHANG Xiao-ling XIE Xue-song LU Chang-zhi LI-yan LI-peng FENG Shi-wei LI Zhi-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN HEMT High temperature characteristic |
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