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| 基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究 | |
| 引用本文： | 刘晓兰,朱政强,党元兰,徐亚新.基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究[J].电子与封装,2015(7):37-40. |
| 作者姓名： | 刘晓兰 朱政强 党元兰 徐亚新 |
| 作者单位： | 1. 河北诺亚人力资源开发有限公司，石家庄 050035; 中国电子科技集团公司第54研究所，石家庄 050081 2. 北京航天控制仪器研究所,北京,100096 3. 中国电子科技集团公司第54研究所,石家庄,050081 |
| 摘 要： | 针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数,采用厚度为400μm的N型<100>硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。 |
| 关 键 词： | 体硅工艺 悬浮微结构 硅基深槽腐蚀 ICP刻蚀 |
Processing of the Suspended Micro-structure Based on Bulk Silicon MEMS Technology |
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| LIU Xiaolan,ZHU Zhengqiang,DANG Yuanlan,XU Yaxin.Processing of the Suspended Micro-structure Based on Bulk Silicon MEMS Technology[J].Electronics & Packaging,2015(7):37-40. | |
| Authors: | LIU Xiaolan ZHU Zhengqiang DANG Yuanlan XU Yaxin |
| Abstract: | |
| Keywords: | bulk silicon processing suspended micro-structure silicon trench etching ICP etching |
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