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10kV SiC GTO器件特性研究
引用本文:程琳,罗佳敏,龚存昊,张有润,唐毅,门富媛,都小利.10kV SiC GTO器件特性研究[J].电子与封装,2022,22(3):12-17.
作者姓名:程琳  罗佳敏  龚存昊  张有润  唐毅  门富媛  都小利
作者单位:国网安徽省电力有限公司培训中心,合肥230022,电子科技大学电子科学与工程学院,成都611731
基金项目:国网安徽省电力有限公司培训中心科技项目
摘    要:

关 键 词:4H-SiC  门极可关断晶闸管  脉冲放电特性

Research on Characteristics of 10 kV SiC GTO Device
CHENG Lin,LUO Jiamin,GONG Cunhao,ZHANG Yourun,TANG Yi,MEN Fuyuan,DU Xiaoli.Research on Characteristics of 10 kV SiC GTO Device[J].Electronics & Packaging,2022,22(3):12-17.
Authors:CHENG Lin  LUO Jiamin  GONG Cunhao  ZHANG Yourun  TANG Yi  MEN Fuyuan  DU Xiaoli
Abstract:
Keywords:
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