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| 新型砷化镓Z元件 | |
| 引用本文： | 郑一阳.新型砷化镓Z元件[J].电子产品世界,1999(9):49-50. |
| 作者姓名： | 郑一阳 |
| 作者单位： | 中科院半导体所!100083 |
| 摘 要： | 本文报导了砷化镓材料制作的Ｚ元件，观察到Ｓ型负阻及相应的振荡波形，重点解决了Ｓ型负阻产生的原因及振荡机理，理论分析与实验相符。 |
| 关 键 词： | Z效应元件 砷化镓 S型负阻 电流振荡波形 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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