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| Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间的STM研究 | |
| 引用本文： | 黎刚,杨海强.Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间的STM研究[J].电子显微学报,1997,16(4):453-454. |
| 作者姓名： | 黎刚 杨海强 |
| 摘 要： | 利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）了几呼经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０．６Ｐａ，８溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｔ气压强０．４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件）下所沉积的Ｍｏ单层薄膜的质量及相同射条件下不同溅射时间对成膜质量的影响。实验的结果表明：降低Ａｒ气压强提高溅射电流（即提高氩离子加速电压）都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 钼 STM 沉积成膜 |
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