| 球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察 |
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| 引用本文： | 杨晓云,吴玉琨,叶恒强.球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察[J].电子显微学报,2000,19(4):409-410. |
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| 作者姓名： | 杨晓云 吴玉琨 叶恒强 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室,沈阳,110015 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，59671031， |
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| 摘 要： | SiC作为一种重要的工业原料,可以利用很多方法制备而成.工业用的SiC通常采用传统的Acheson过程,用碳还原SiO2,温度需达到2000℃～2300℃1].文献2,3]报道了在室温球磨 Si50C50 混合粉末可获得SiC.但是在这些文献中,所提供的证据均来自于X射线衍射,透射电镜以及扫描电镜等的实验结果,没有提供直观的原子尺度观察,因而对于其微观反应机制的理解缺乏足够的证据.
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| 关 键 词： | 球磨 碳化硅 电镜 |
HREM observations of the synthesized SiC under BM |
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| YANG Xiao-yun,WU Yu-kun,YE Heng-qian.HREM observations of the synthesized SiC under BM[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2000,19(4):409-410. |
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| Authors: | YANG Xiao-yun WU Yu-kun YE Heng-qian |
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