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| TiN膜的电子显微分析 | |
| 引用本文： | 谢雁,成世逵.TiN膜的电子显微分析[J].电子显微学报,1990,9(3):215-215. |
| 作者姓名： | 谢雁 成世逵 |
| 作者单位： | 青岛化工学院，青岛化工学院 |
| 摘 要： | 由于TiN膜具有耐磨、搞腐蚀、导热性好的特点,所以近十几年来人们在此方面作了大量研究工作。认为TiN膜的晶体结构是影响其性能的主要因素。Mathews等人指出在相同硬度下,具有(200)取向比(111)取向的Tin膜更耐磨。而valvoda指出取向程度越低硬度越高。所以说研究膜的取向问题是十分必要的。我院薄膜研究室从87年开始,就对射频等离子体化学气相沉积TiN膜进行研究。本文就是采用该室的Tin膜,对不同沉积时间的膜进行TEM、SEM和X-射线衍射分析。样品制备:1)Tin膜的制备是13.56HZ射频等离子体化学气相沉积的TiN膜。2)TEM样品的制备 |
| 关 键 词： | TiN膜 电子显微分析 结构 |
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