应变和成份调制超晶格的CBED研究 |
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引用本文: | 魏晓莉,冯国光.应变和成份调制超晶格的CBED研究[J].电子显微学报,1993,12(2):149-149. |
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作者姓名: | 魏晓莉 冯国光 |
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作者单位: | 中国科学院物理所,中国科学院北京电子显微镜实验室 |
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摘 要: | 由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时,则为也变调制的超晶恪,如In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格。最近我们用会聚束电子衍射(CBED)研究了成份调制的超晶格AlAs/GaAs和应变调制的超晶格In、Ga_(1-x)As/GaAs的运动学和动力学衍射效应。
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关 键 词: | 半导体 砷化镓 砷化铝 超晶格 会聚束电子衍射 |
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