首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

低温漂的基准电压源的研究
引用本文:周华.低温漂的基准电压源的研究[J].半导体行业,2005(2):68-70.
作者姓名:周华
摘    要:本文介绍了一种采用0.35微米CMOS工艺制作的一种低温漂的能隙基准电压源电路.电路的供电电源是5V.输出基准电压的典型值为2.5V.电路典型功耗为1.02mW,它具有低的温度漂移系数.在-45℃-+90℃典型值优于4ppm/℃.高的交流电源抑制比.在较宽的频率范围内优于-51.4db.电源在4.75V-5.25V的范围内的直流电源抑制比为400ppm/V.版图面积典型值为0.786mm^2。

关 键 词:能隙基准电压源  温度系数  二阶补偿
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号