低温漂的基准电压源的研究 |
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引用本文: | 周华.低温漂的基准电压源的研究[J].半导体行业,2005(2):68-70. |
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作者姓名: | 周华 |
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摘 要: | 本文介绍了一种采用0.35微米CMOS工艺制作的一种低温漂的能隙基准电压源电路.电路的供电电源是5V.输出基准电压的典型值为2.5V.电路典型功耗为1.02mW,它具有低的温度漂移系数.在-45℃-+90℃典型值优于4ppm/℃.高的交流电源抑制比.在较宽的频率范围内优于-51.4db.电源在4.75V-5.25V的范围内的直流电源抑制比为400ppm/V.版图面积典型值为0.786mm^2。
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关 键 词: | 能隙基准电压源 温度系数 二阶补偿 |
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