eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下工艺窗口的优化 |
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引用本文: | 邱鹏.eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下工艺窗口的优化[J].半导体行业,2008(2). |
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作者姓名: | 邱鹏 |
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作者单位: | 上海交通大学微电子学院 |
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摘 要: | 随着设计技术进一步发展,通过以C4F6为基础的蚀刻制程气体在MERIE技术eMAX反应腔室的应用,可以扩大eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下制程的窗口。它有比C4F8更高的对光阻和氮化硅(SIN)的选择比和更宽的蚀刻终止窗口。通过优化工艺窗口,其对SIN的选择比可以达到30:1,使得有能力蚀刻低或高深宽比的结构.大于87度角的蚀刻能力可以很好的控制CD和蚀刻轮廓。
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关 键 词: | eMax机台 C4F6气体 氮化硅选择比 蚀刻率 绝缘体蚀刻 |
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