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脉冲腐蚀法制备多孔硅及其光学特性研究
引用本文:李志全,乔淑欣,蔡亚楠,张冉.脉冲腐蚀法制备多孔硅及其光学特性研究[J].大气与环境光学学报,2006,1(2):151-154.
作者姓名:李志全  乔淑欣  蔡亚楠  张冉
作者单位:燕山大学仪器科学与工程系,河北,秦皇岛,066004
基金项目:国家自然科学基金;河北省博士科研项目
摘    要:Labview软件控制腐蚀条件,用脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅薄膜,其表面形貌用原子力显微镜观察并分析。用可见-紫外分光光度仪测量其反射谱,通过计算得出各种制备条件下,多孔硅薄膜的其它光学参数,即有效折射率neff,吸收系数α,有效介电常数的实部εer,和虚部εei,消光系数K,研究了入射光波长和孔隙率对这些光学常数的影响。

关 键 词:多孔硅  脉冲腐蚀法  原子力显微镜  表面形貌  光学常数
文章编号:1673-6141(2006)02-0151-04
收稿时间:2005-08-21
修稿时间:2005年8月21日

Porous Silicon Fabricated by Pulsed Etching Method and its Optical Properties
LI Zhi-quan,QIAO Shu-xin,CAI Ya-nan,ZHANG Ran.Porous Silicon Fabricated by Pulsed Etching Method and its Optical Properties[J].Journal of Atmospheric and Environmental Optics,2006,1(2):151-154.
Authors:LI Zhi-quan  QIAO Shu-xin  CAI Ya-nan  ZHANG Ran
Affiliation:Department of Instrument Science and Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, China
Abstract:
Keywords:porous silicon  pulsed etching method  atomic force microscopy  surface morphologies  optical constants
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