| 半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探 |
| |
| 引用本文： | 李希阳,戴慧莹,施卫,候军燕,杨丽娜. 半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探[J]. 大气与环境光学学报, 2006, 0(6) |
| |
| 作者姓名： | 李希阳 戴慧莹 施卫 候军燕 杨丽娜 |
| |
| 作者单位： | 空军工程大学 空军工程大学 陕西 西安 陕西 西安 |
| |
| 摘 要： | 为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。
|
| 关 键 词： | 半绝缘GaAs 暗态电阻 EL2 电子陷阱 |
Dark Resistivity of GaAs Photoconductive-switch Before and After Break Down |
| |
| LI Xi-yang DAI Hui-ying SHI Wei HOU Jun-yan YANG Li-na. Dark Resistivity of GaAs Photoconductive-switch Before and After Break Down[J]. Journal of Atmospheric and Environmental Optics, 2006, 0(6) |
| |
| Authors: | LI Xi-yang DAI Hui-ying SHI Wei HOU Jun-yan YANG Li-na |
| |
| Abstract: | The dark resistivity of semi-insulating GaAs photoconductive-switch which work in non-linear mode before and after break down is studied.We consider that the stages of broke down and lock-on change electronics trap density(especial EL2) and the form of As atom partially,which cause the reduce of dark resistivity after break down. |
| |
| Keywords: | semi-insulating GaAs dark electric resistance EL2 electronics trap |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
