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II-VI族半导体特性参数的三维边缘元分析
引用本文:徐善驾,盛新庆,贾冬焱.II-VI族半导体特性参数的三维边缘元分析[J].电子与信息学报,1999,21(1):110-114.
作者姓名:徐善驾  盛新庆  贾冬焱
作者单位:中国科技大学电子工程与信息科学系,中国科技大学电子工程与信息科学系,中国科技大学电子工程与信息科学系 合肥 230027,合肥 230027,合肥 230027
基金项目:国家自然科学基金(NSFC),国家教委基金,德国研究联合会(DFG)联合资助项目
摘    要:本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并说明了用这些曲线确定Ⅱ-Ⅵ族半导体电特性参数的方法。该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解有损超薄各向异性介质填充波导本征值问题的困难,简化了求解过程。计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点。

关 键 词:Ⅱ-Ⅵ族半导体  特性参数  三维边缘元方法
收稿时间:1997-7-11
修稿时间:1998-2-12

3-D EDGE-ELEMENT ANALYSIS FOR THE CHARACTERISTIC PARAMETERS OF II-VI SEMICONDUCTOR MATERIALS
Xu Shanjia,Sheng Xinqing,Jia Dongyan.3-D EDGE-ELEMENT ANALYSIS FOR THE CHARACTERISTIC PARAMETERS OF II-VI SEMICONDUCTOR MATERIALS[J].Journal of Electronics & Information Technology,1999,21(1):110-114.
Authors:Xu Shanjia  Sheng Xinqing  Jia Dongyan
Affiliation:Dept. of Electron. Eng. and Infm. Sci., University of Science and Technology of China Hefei 230027
Abstract:
Keywords:II-VI semiconductor  Characteristic parameters  3-D edge-element
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