| 双注入型磁敏二极管的设计 |
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| 引用本文： | 黄得星.双注入型磁敏二极管的设计[J].电子与信息学报,1986,8(2):104-109. |
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| 作者姓名： | 黄得星 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文探讨了在P+IN+型长二极管的一个侧面设置高复合区的锗磁敏二极管的设计,给出了选择长度(l)、厚度(d)、宽度(w)和电阻率()的最佳设计关系式: /w(l/d)310.75(△T)2/I03Rth2,式中 △T为磁敏二极管的最大温升,Rth为管子的热阻,I0为通过管子的偏流。
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| 收稿时间： | 1984-6-26 |
| 修稿时间： | 1985-9-21 |
A DESIGN OF DOUBLE INJECTION TYPE MAGNETO-DIODE |
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| Huang Dexing.A DESIGN OF DOUBLE INJECTION TYPE MAGNETO-DIODE[J].Journal of Electronics & Information Technology,1986,8(2):104-109. |
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| Authors: | Huang Dexing |
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| Affiliation: | Department of Physics Heilongjiang University |
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| Abstract: | A new design is proposed for long P+IN+ type Ge magnetodiode with a high recombination region on one side. The optimal relation is established between its length (l), depth (d), width () and resistivity () for designing Ge magnetodiode: (/) (l/d)3=10.75(△T)2/(I03Rth2) △T is the limit of chip temperature rise, Rth the thermal resistance, I0 the current flowing through diode. |
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| Keywords: | |
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