| Zn在InP中低温扩散的研究 |
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| 引用本文： | 张桂成,徐少华,水海龙.Zn在InP中低温扩散的研究[J].电子与信息学报,1983,5(2):95-99. |
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| 作者姓名： | 张桂成 徐少华 水海龙 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所
(张桂成，徐少华)，中国科学院上海冶金研究所(水海龙) |
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| 摘 要： | 本文用Zn_3P_2源在闭管条件下研究了Zn在InP中的低温(520—700℃)扩散。比较了用“等温”扩散和“双温区”扩散技术扩散后,样品的电学参数。结果表明:“双温区”扩散法可得到表面光亮,无损伤的高浓度表面层。该法已用于InGaAsP/InP双异质结发光管的制备工艺中,并制得了光功率≥1mW,串联电阻2—3Ω的发光管。还讨论了Zn在InP中扩散时的行为,解释了低温(550℃)扩散过程中,等温扩散时出现的异常现象。
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| 收稿时间： | 1981-07-08 |
A STUDY OF Zn DIFFUSION IN InP AT LOW TEMPERATURE |
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| Zhang Gui-cheng Xu Shao-hua Shui Hai-long.A STUDY OF Zn DIFFUSION IN InP AT LOW TEMPERATURE[J].Journal of Electronics & Information Technology,1983,5(2):95-99. |
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| Authors: | Zhang Gui-cheng Xu Shao-hua Shui Hai-long |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Metallurgy;Acaaemia Sinica |
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