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| LPCVD法淀积SiO2薄膜的影响因素分析 | |
| 引用本文： | 范子雨,索开南.LPCVD法淀积SiO2薄膜的影响因素分析[J].电子工业专用设备,2019,48(6). |
| 作者姓名： | 范子雨 索开南 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 低压力化学气相沉积法 薄膜 淀积 正硅酸乙酯源 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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