首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法
引用本文:吕瑛,康星朝.一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法[J].信息技术,2013(9):135-139.
作者姓名:吕瑛  康星朝
作者单位:1. 西北工业大学明德学院电子信息工程系,西安,710000
2. 中国通信建设第二工程局有限公司,西安,710000
摘    要:建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件(HEMT)小信号模型等效电路参数的新方法。采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取,避免了ColdFET方法提取的寄生参数为负值的现象;通过Yong Long方法对寄生源电阻进行提取,减少了模型参数提取复杂度。与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比,该方法物理意义简明清晰,提取速度快,并且对新材料、新器件结构有较强的实用性。

关 键 词:参数提取  高电子迁移率器件(HEMT)  小信号模型

A novel and direct parameter-extraction method for HEMT small-signal model
LV Ying , KANG Xing-chao.A novel and direct parameter-extraction method for HEMT small-signal model[J].Information Technology,2013(9):135-139.
Authors:LV Ying  KANG Xing-chao
Abstract:
Keywords:parameter extraction  high electron mobility transistor (HEMT)  small-signal model
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号