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| 0．18μm CMOS工艺3．1～5．2GHz低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 王贵,华明清,王志功,唐万春.0．18μm CMOS工艺3．1～5．2GHz低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2009,29(1). |
| 作者姓名： | 王贵 华明清 王志功 唐万春 |
| 作者单位： | 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 2. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 3. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094 |
| 基金项目： | 国家高技术发展与研究计划，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性.利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18 μm CMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6 mm×1.5 mm.测试结果表明,在3.1～5.2 GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12 dB,噪声系数NF<3.1dB.电源电压为1.8V,功耗为14mW. |
| 关 键 词： | 低噪声放大器 输入回波损耗 噪声系数 互补金属氧化物半导体 |
A 3.1～5. 2 GHz Low Noise Amplifier in 0. 18μm CMOS Process |
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| WANG Gui,HUA Mingqing,WANG Zhigong,TANG Wanchun.A 3.1～5. 2 GHz Low Noise Amplifier in 0. 18μm CMOS Process[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2009,29(1). | |
| Authors: | WANG Gui HUA Mingqing WANG Zhigong TANG Wanchun |
| Abstract: | |
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