| L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管 |
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| 引用本文： | 硅微波脉冲功率晶体管攻关组.L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管[J].固体电子学研究与进展,2003,23(3):373-373. |
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| 作者姓名： | 硅微波脉冲功率晶体管攻关组 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 南京电子器件研究所最近研制成功 L波段2 5 0 W宽带硅微波脉冲功率晶体管。该器件在 1 .2～ 1 .4GHz频带内 ,脉宽 1 5 0 μs,占空比 1 0 %和 40V工作电压下 ,全带内脉冲输出功率在 2 4 0～ 30 0W之间 ,功率增益大于 7.8d B,效率大于 5 0 %。器件设计为梳条状结构 ,单元间距 6μm,发射极和基极金属条条宽 2 .4μm,金属条间距 0 .6μm。每个器件由 6个尺寸为 1 60 0μm× 75 0μm功率芯片组成 ,每个功率芯片含有 2个子胞。整个器件包含 1 2个子胞、2 0个电容和 2 0 0多条连接金丝匹配而成。在微波功率发射等领域 ,硅微波脉冲大功率晶体管具…
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| 关 键 词： | L波段 硅微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度 |
| 修稿时间： | 2003年5月19日 |
Broadband L-band 250 W Silicon Pulsed Transistors |
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