| 氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性 |
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| 引用本文： | 林碧霞,傅竹西,刘磁辉,廖桂红,朱俊杰,段理.氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性[J].固体电子学研究与进展,2002,22(4):417-420,444. |
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| 作者姓名： | 林碧霞 傅竹西 刘磁辉 廖桂红 朱俊杰 段理 |
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| 作者单位： | 中国科学院结构分析开放实验室,中国科学技术大学物理系,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (No.5 9872 0 3 7，5 0 14 2 0 16，10 1740 72 )，国家科技部基础研究快速反应基金 (国科基字 [2 0 0 1] 5 1号 )，中
科院院长基金 (院基计字 83 1号 )的资助 |
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| 摘 要： | 报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 近紫外发射 异质结 同质p-n结 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)04-417-04 |
The Luminescence of Wide-gape Semiconductor of Zine Oxide Films and Its p-n Junction Properties |
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| LIN Bixia,FU Zhuxi,LIU Cihui,LIAO Guihong,ZHU Junjie,DUAN Li.The Luminescence of Wide-gape Semiconductor of Zine Oxide Films and Its p-n Junction Properties[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(4):417-420,444. |
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| Authors: | LIN Bixia FU Zhuxi LIU Cihui LIAO Guihong ZHU Junjie DUAN Li |
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| Abstract: | The ultraviolet emission of ZnO films deposited by DC reactive sputtering and the influence of annealing on the spectra of ZnO films have been investigated.Using Ag as p type and Al as n type doping,we fabricated two kinds of ZnO films.The I V curves of the heterojunction composed of these two ZnO films on p type Si substrates,respectively,exhibited reversed properties.The I V curve of the junction composed of Ag doped film and Al doped film displays a common p n junction properties. |
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| Keywords: | zinc oxide film luminescence heterojunction p n junction |
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