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| 采用缓变In_xGa_（1－x）As沟道的高性能δ掺杂GaAs／In_xGa_（1－x）As PHEMT | |
| 引用本文： | 曲兰欣.采用缓变In_xGa_（1－x）As沟道的高性能δ掺杂GaAs／In_xGa_（1－x）As PHEMT[J].固体电子学研究与进展,1994(3). |
| 作者姓名： | 曲兰欣 |
| 摘 要： | 采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９... |
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