| 忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真 |
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| 引用本文： | 曹新亮.忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真[J].固体电子学研究与进展,2014(2):120-123,178. |
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| 作者姓名： | 曹新亮 |
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| 作者单位： | 延安大学物理与电子信息学院; |
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| 基金项目： | 延安大学博士科研启动基金项目(YDK2011-07) |
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| 摘 要： | 忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源等效。MATLAB的系统级仿真结果表明:等效忆感器具有电流-磁通量之间的自收缩滞回特性,这与理论概念上的忆感特性相吻合,为忆感器在电子学中产生新功能的实验研究提供了功能模拟实体。
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| 关 键 词： | 忆感器 忆阻器 有源等效 滞回特性 |
Active Equivalent Meminductor of Contained Memristor-capacitance and Its Characteristic Simulation |
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