1~7GHz全单片低噪声放大器 |
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引用本文: | 彭龙新,蒋幼泉,林金庭,魏同立.1~7GHz全单片低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2003,23(3):296-300. |
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作者姓名: | 彭龙新 蒋幼泉 林金庭 魏同立 |
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作者单位: | 1. 东南大学微电子中心,南京,210096;南京电子器件研究所,南京,210016 2. 南京电子器件研究所,南京,210016 3. 东南大学微电子中心,南京,210096 |
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摘 要: | 一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As工艺制作而成 ,所有电路元器件皆集成在 3 .0 mm× 2 .0 mm的 Ga As衬底上。经测量 ,在频率 1~ 7GHz的范围内 ,放大器增益大于 2 0 d B,带内增益波动小于± 0 .75 d B,噪声系数 NF<2 .5d B,输入输出驻波 VSWR约 2 .0 ,1分贝压缩点输出功率大于 1 4d Bm。文中介绍了放大器的设计原理和工艺过程 ,并给出了测量结果。测量结果与设计符合得很好。最后值得指出的是 76mm Ga As圆片的成品率高 ,性能一致性好。
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关 键 词: | 低噪声反馈放大器 微波单片集成电路 宽带 膺配高电子迁移率晶体管 |
文章编号: | 1000-3819(2003)03-296-05 |
修稿时间: | 2002年3月1日 |
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