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| 电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 通过在不同的速率下蒸发相同厚度的Ti金属薄膜,研究电子束蒸发速率对Ti膜表面形貌和性能的影响。试验表明随着Ti蒸发速率的提高,薄膜表面没有明显差别,但薄膜的结构变得致密,相同厚度下金属薄膜方阻变小,Ti金属间结合更紧密。同时在研究中发现不同速率蒸发的Ti膜能在一定范围内影响GaAs器件势垒高度,可以在同等条件下通过Ti蒸发速率调整来获得合适的肖特基势垒,因此Ti蒸发速率是制作GaAs器件肖特基势垒的关键因素之一。 |
| 关 键 词： | 电子束蒸发 蒸发速率 Ti膜 肖特基势垒 |
The Effect of Evaporation Rate on the Ti/GaAs Schottky Barrier |
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| Keywords: | |